SiCウェハの平坦化・鏡面研削 | 超精密グラインダーの加工事例1

超精密グラインダーNSFseriesによるSiC・GaNウェハなどの平坦化・平面研削、鏡面化、加工歪み層の極小化事例をご紹介。


アズスライスから鏡面状態へ。
SiCウェハ製造を変える研削加工。

SiCウェハの平坦化(平面研削)とは、ウェハ製造(ウェハメイキング)工程でウェハの片面もしくは両面の平面創成を行うこと。アズスライス状態のSiCウェハは両面ラップを行い、片面研削、研磨、CMPを経て最終仕上げされています。しかし、この方法は加工時間・コストともに多くかかります。そこでナガセでは固定砥粒のみでSiCウェハの平面創成と加工歪み層の極小化(鏡面加工)までを一気に実現する研削加工法を開発しています。



加工サンプル

SiCパワー半導体基板の平坦化研削加工

加工レート:約70μm/min
材質:単結晶SiCウェハ
サイズ:4インチ×3枚加工 
加工機:NSF-350

SiCウェハの平坦化研削加工

TTV:1μm, LTV:0.8μm
材質:単結晶SiCウェハ
サイズ:4インチ 
加工機:NSF-350


SiCウェハの鏡面研削加工

面粗度:Ra 0.61nm,Rz 4.80nm
材質:単結晶SiCウェハ
サイズ:4インチ×7枚加工(6インチ×3枚も加工可能)
加工機:NSF-350

SiCウェハの加工歪み層(ダメージ)の極小化

SSD:平均50nm以下
測定:Si面任意箇所


アルミナセラミックスの薄化加工

平行度:1μm
加工レート:50μm/min

材質:アルミナセラミックス
サイズ:100×100×0.1mm 
加工機:NSF-600

純ニッケルの高能率平坦化加工

面粗度:Ra 0.69nm,Rz 5.12nm
加工レート:75μm/min(粗加工)

材質:純ニッケル
サイズ:155×130mm 
加工機:NSF-600


光学レンズの超鏡面研削加工

面粗度:Ra 0.69nm,Rz 5.12nm
材質:低熱膨張ガラス
サイズ:φ200×25mm 
加工機:NSF-600

超硬の超鏡面研削加工

面粗度:Ra 0.6nm,Rz 3.9nm
材質:超硬
サイズ:φ70mm 
加工機:NSF-600



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