SiCパワーデバイスの薄化・裏面研削 | 超精密グラインダーの加工事例２
超精密グラインダーNSFseriesによるSiC・GaNパワーデバイスなどのバックグラインディング、薄化加工事例をご紹介。
SiC基板のバックグラインディングを
最高の能率、最小のコストで。
SiCの薄化・裏面研削とは、主にパワーデバイス等の用途で性能向上のためにSiC基板の厚みを薄化する加工のこと。BG、バックグラインディングとも呼ばれます。 ナガセの定圧定量複合制御研削はSiCなどの高硬度な脆性材料を高能率・高精度に薄化・平坦化するために生み出された革新的な加工法です。従来のインフィード研削に対して数倍の能率と少ない工具摩耗で6インチサイズのSiCも効率よく極薄化することが可能です。
加工サンプル
t20µmまで薄化したSiCウェハ
SORI：極少
サイズ：2インチ×3枚加工
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ご相談は無料です。まずはご検討中の加工に関する精度、サイズ、素材などについてお聞かせください。
テスト加工、試作支援、設備利用に関しても、弊社テクニカルセンターのベテランエンジニアが
最適な方法などを検討して、迅速にご回答させて頂きます。（お急ぎの場合は各地域営業所まで）
